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随着半导体工艺进入7nm以内,EUV光刻机是必不可少的关键设备,全球只有ASML公司能生产,现在NA 0.33孔径的EUV光刻机售价高达1.5亿美元,约合10亿一台,不过下一代会更贵。

光刻机制造芯片的关键指标就是光刻分辨率,其中镜头的NA数值孔径越大越好,现在NA 0.33孔径的EUV光刻机能够量产3nm、2nm工艺,再往后就需要NA 0.55孔径的下一代光刻机,也就是High NA EUV,制造2nm以下的工艺必需。

High NA EUV预计在明年开始出样机给客户,这一次Intel先下手为强,抢购了首批的High NA EUV光刻机,据说单价超过3.4亿美元,约合25亿了。

但High NA EUV的最终价格还不确定,未来可能达到4亿美元,超过28亿人民币了。

High NA EUV光刻机不仅是本身昂贵,使用成本也越来越高,因为功耗还会继续涨,ASML最近证实High NA EUV光刻机会额外消耗0.5WM功耗,加上目前的1.5MW功耗,下一代光刻机的总功耗将达到2MW,也就是200万瓦的水平。

如果一天24小时运转,那么下代光刻机每天就要消耗4.8万度电,这个成本对芯片制造企业来说是非常高的,绝对的电老虎。

售价25亿的“电老虎” 下代EUV光刻机功耗飙到200万瓦



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